STMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
e络盟:
STMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
富昌:
STI13NM60N 系列 600 V 360 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 MOSFET - IPAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STI13NM60N Power MOSFET, N Channel, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,11A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 790pF @50VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 10.75 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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