STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB120NF10T4, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
立创商城:
N沟道 100V 110A
贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 110 A, 0.0105 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STB120NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 312000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 120 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0105 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 312 W
阈值电压 4 V
输入电容 5200 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
额定功率Max 312 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
重量 0.013607772 kg
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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