STMICROELECTRONICS STW75NF30 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
立创商城:
N沟道 300V 60A
得捷:
MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 60A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-Channel 300 V 37 mOhm Flange Mount STripFET Power Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 300V 60A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.8A; 320W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 60A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW75NF30 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
300V,0.037Ω,60A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 87 ns
输入电容Ciss 5930pF @25VVds
额定功率Max 320 W
下降时间 101 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STW75NF30 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDA59N30 飞兆/仙童 | 功能相似 | STW75NF30和FDA59N30的区别 |
FQA38N30 飞兆/仙童 | 功能相似 | STW75NF30和FQA38N30的区别 |
IXFH52N30Q IXYS Semiconductor | 功能相似 | STW75NF30和IXFH52N30Q的区别 |