STB19NM65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB19NM65N概述

Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3Pin2+Tab D2PAK

N-Channel 650V 15.5A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3-Pin2+Tab D2PAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3-Pin2+Tab D2PAK

STB19NM65N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STB19NM65N

描述：Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3Pin2+Tab D2PAK