N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
立创商城:
N沟道 1kV 3.5A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF5NK100Z, 3.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Jameco:
MOSFET 1000V 2.7 OHM 3.5A
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STF5NK100Z 系列 N 沟道 1000 V 3.7 Ohm SuperMESH3 功率 Mosfet TO-220FP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STF5NK100Z MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 1 kV, 2.7 ohm, 30 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 1000V 3,5A 3,7Ohm TO220FP **
力源芯城:
3.5A,1000V,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 3.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 7.7 ns
输入电容Ciss 1154pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
