STB20NM60D

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STB20NM60D概述

STB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3

N-Channel 600V 20A Tc 192W Tc Surface Mount D2PAK


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MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK


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N沟道 600V 20A


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STB20NM60D 系列 N 沟道 600 V 0.29 Ω FDmesh 功率 Mosfet - D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK


STB20NM60D中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 192 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 192 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 192W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB20NM60D
型号: STB20NM60D
描述:STB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3
替代型号STB20NM60D
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