STS9NF30L参数规格_中文资料_数据手册PDF

STS9NF30L概述

N沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

N-Channel 30V 9A Tc 2.5W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO N T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

STS9NF30L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 15.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±18.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 80.0 ns

输入电容Ciss 730pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STS9NF30L

型号： STS9NF30L

描述：N沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

替代型号STS9NF30L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STS9NF30L ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STS10N3LH5 意法半导体	类似代替	STS9NF30L和STS10N3LH5的区别
STS5N15F3 意法半导体	类似代替	STS9NF30L和STS5N15F3的区别
STS9NH3LL 意法半导体	类似代替	STS9NF30L和STS9NH3LL的区别