






N沟道30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT (引脚6x5 )超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT 6x5 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET
N-Channel 30V 27A Tc 60W Tc Surface Mount PowerFlat™ 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Flat T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5
额定电压DC 30.0 V
额定电流 27.0 A
漏源极电阻 13.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 27.0 A
输入电容Ciss 965pF @25VVds
额定功率Max 4 W
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PowerVDFN-8
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STL50NH3LL ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC080N03LSGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | STL50NH3LL和BSC080N03LSGATMA1的区别 |
BSC0909NS 英飞凌 | 功能相似 | STL50NH3LL和BSC0909NS的区别 |
STL140N4LLF5 意法半导体 | 功能相似 | STL50NH3LL和STL140N4LLF5的区别 |