MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STB18N60M2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin D2PAK T/R
富昌:
N沟道 600 V 110 W 13 A 280 mΩ 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
600V,0.255Ω,13A,N沟道功率MOSFET
通道数 1
漏源极电阻 0.28 Ω
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 791pF @100VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 10.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free