STD10NM60ND

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STD10NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STD10NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 600V, 0.53? , 10A功率MOSFET


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MOSFET N-CH 600V 8A DPAK


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STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR


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Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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STD10NM60ND 系列 600 V 600 mOhm N 沟道 FDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-252-3


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# STMICROELECTRONICS  STD10NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V


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MOSFET N-CH 600V 8A DPAK


STD10NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.57 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 577pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 9.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: STD10NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STD10NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
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