STMICROELECTRONICS STD10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 600V, 0.53? , 10A功率MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
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晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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STD10NM60ND 系列 600 V 600 mOhm N 沟道 FDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-252-3
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# STMICROELECTRONICS STD10NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 600V 8A 600mOhm TO252 **
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600V,8A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.57 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 577pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 9.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD10NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD10NM60N 意法半导体 | 类似代替 | STD10NM60ND和STD10NM60N的区别 |