STMICROELECTRONICS STB24NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
贸泽:
MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STB24NM65N power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 160000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology.
富昌:
STB24NM65N系列 N沟道 650 V 0.16 Ohm MDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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