STD25NF10LA

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STD25NF10LA概述

STMICROELECTRONICS  STD25NF10LA  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V

是一款STripFET™II N沟道功率MOSFET, 设计用于降低输入电容和栅极电荷. 该器件适合用作高效隔离式DC-DC转换器中的主开关, 适用于电信和计算机应用, 以及需要低栅极电荷驱动的应用.

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出色的dv/dt能力
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100%经过雪崩测试
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逻辑电平设备
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工作结温范围-55至175°C

得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


立创商城:
STD25NF10LA


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD25NF10LA  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V


力源芯城:
100V,25A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


STD25NF10LA中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 1710 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1710pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Communications & Networking, Industrial, Power Management, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Automotive, Computers & Computer Peripherals, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD25NF10LA
型号: STD25NF10LA
描述:STMICROELECTRONICS  STD25NF10LA  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V

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