STMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a N/P-channel Power MOSFET for switching applications. This device is a complementary N-channel and P-channel Power MOSFET developed using STripFET™ II P-channel and STripFET™ V N-channel technologies. The resulting transistors show extremely high packing density for low ON-resistance and rugged avalanche characteristics.
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- Conduction losses reduced
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- Switching losses reduced
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- Low threshold drive
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- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
额定电流 8.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A, 4.20 A
上升时间 35.0 ns
输入电容Ciss 857pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STS8C5H30L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS8928A 飞兆/仙童 | 功能相似 | STS8C5H30L和FDS8928A的区别 |
IRF7319PBF 国际整流器 | 功能相似 | STS8C5H30L和IRF7319PBF的区别 |
FDS8962C 飞兆/仙童 | 功能相似 | STS8C5H30L和FDS8962C的区别 |