100V,0.0078Ω,16A,N沟道功率MOSFET
N-Channel 100V 82A Tc 136W Tc Surface Mount PowerFlat™ 5x6
得捷:
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 8-Pin Power Flat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 8-Pin Power Flat T/R
力源芯城:
100V,0.0078Ω,16A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Win Source:
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
漏源极电阻 8.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 136 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 82A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 3210pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 5.7 ns
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PowerFLAT-5x6-8
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STL70N10F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STL100N10F7 意法半导体 | 类似代替 | STL70N10F3和STL100N10F7的区别 |
TL100 意法半导体 | 功能相似 | STL70N10F3和TL100的区别 |