N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD120N4LF6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 40 V 4 mOhm Surface Mount DeepGATE™ Power Mosfet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
40V,80A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 1V ~ 3V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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