STD120N4LF6

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STD120N4LF6概述

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD120N4LF6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 40 V 4 mOhm Surface Mount DeepGATE™ Power Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
40V,80A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK


STD120N4LF6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 1V ~ 3V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 4300pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD120N4LF6
型号: STD120N4LF6
描述:N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD120N4LF6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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