N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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STB11N65M5
得捷:
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STB11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
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Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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N-Channel 710 V 0.48 Ω 85 W 17 nC Surface Mount Mdesh V Power MosFet - D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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650V,9A,N沟道MOSFET
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MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 85 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 9A
输入电容Ciss 644pF @100VVds
额定功率Max 85 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB11N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD11N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STB11N65M5和STD11N65M5的区别 |