N 沟道 100 V 3.3 A 0.136 Ohm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PPAK SO-8
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 100V 13A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ 5x6
得捷:
MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
贸泽:
MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 double island
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin PowerFLAT T/R
富昌:
N-沟道 100 V 3.3 A 180 mOhm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PowerFLAT
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 8-Pin Power Flat T/R
极性 P-CH
耗散功率 4 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 864pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free