N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
30V,0.0024Ω,80A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
输入电容 3800 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD155N3LH6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB155N3LH6 意法半导体 | 完全替代 | STD155N3LH6和STB155N3LH6的区别 |
IPD70N03S4L-04 英飞凌 | 功能相似 | STD155N3LH6和IPD70N03S4L-04的区别 |
BUK662R5-30C,118 恩智浦 | 功能相似 | STD155N3LH6和BUK662R5-30C,118的区别 |