














N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
立创商城:
STB31N65M5
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB31N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.148 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet -D2PAK-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**MOSFET 650V 124mOhm 22A TO-263 **
力源芯城:
650V,22A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 1865pF @100VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99