STB28NM60ND

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STB28NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK


欧时:
### N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
单 N沟道 600 V 0.15 Ω 190 W 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB28NM60ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 21.5 ns

输入电容Ciss 2090pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB28NM60ND
型号: STB28NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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