STMICROELECTRONICS STB100NF04T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 120 A, 0.0043 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 40V 120A 4,6mOhm TO263 **
力源芯城:
40V,4.3mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0043 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
上升时间 220 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB100NF04T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB200NF04T4 意法半导体 | 类似代替 | STB100NF04T4和STB200NF04T4的区别 |
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BUK763R1-40B,118 恩智浦 | 功能相似 | STB100NF04T4和BUK763R1-40B,118的区别 |