STL6N2VH5

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STL6N2VH5概述

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 20V POWERFLAT


欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerFLAT 2x2 T/R


富昌:
STL6N2VH5 系列 20 V 0.04 Ohm 2.4 W N 沟道 表面贴装 功率 Mosfet - POWERFLAT 2x2


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V POWERFLAT / N-Channel 20 V 6A Tj 2.4W Tc Surface Mount PowerFlat™ 2x2


STL6N2VH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.4 W

阈值电压 0.7 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 550pF @16VVds

额定功率Max 2.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerFLAT-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerFLAT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL6N2VH5
型号: STL6N2VH5
描述:N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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