STB30NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB30NM60N概述

N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

N-Channel 600V 25A Tc 190W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STB30NM60N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 2700pF @50VVds

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB30NM60N

型号： STB30NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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替代型号STB30NM60N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STB30NM60N ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
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