N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STH270N4F3-6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet iii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
力源芯城:
40V,180A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 7400pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-7
长度 15.25 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17