STD6N60M2

STD6N60M2图片1
STD6N60M2图片2
STD6N60M2图片3
STD6N60M2图片4
STD6N60M2图片5
STD6N60M2图片6
STD6N60M2图片7
STD6N60M2图片8
STD6N60M2图片9
STD6N60M2图片10
STD6N60M2图片11
STD6N60M2图片12
STD6N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 1.06 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N沟道 600 V 60 W 4.5 A 1.2 Ω 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STD6N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 232pF @100VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 22.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STD6N60M2引脚图与封装图
STD6N60M2封装焊盘图
在线购买STD6N60M2
型号: STD6N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司