STS4DPF20L

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STS4DPF20L概述

N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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STS4DPF20L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -4.00 A

通道数 2

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STS4DPF20L引脚图与封装图
STS4DPF20L引脚图
STS4DPF20L封装图
STS4DPF20L封装焊盘图
在线购买STS4DPF20L
型号: STS4DPF20L
描述:N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STS4DPF20L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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