STGF10NC60KD

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STGF10NC60KD概述

STMICROELECTRONICS  STGF10NC60KD  单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STGF10NC60KD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装


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STGF10NC60KD


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IGBT 600V 9A 25W TO220FP


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IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT


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Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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# STMICROELECTRONICS  STGF10NC60KD  IGBT Single Transistor, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3


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IGBT N-CH 600V 9A TO-220FP


STGF10NC60KD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.00 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

上升时间 6 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 22 ns

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGF10NC60KD引脚图与封装图
STGF10NC60KD引脚图
STGF10NC60KD封装图
STGF10NC60KD封装焊盘图
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型号: STGF10NC60KD
描述:STMICROELECTRONICS  STGF10NC60KD  单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

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