














STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STGF10NC60KD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
STGF10NC60KD
得捷:
IGBT 600V 9A 25W TO220FP
贸泽:
IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
e络盟:
单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
IGBT N沟道 600V 9A TO-220FP PowerMESH™
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD IGBT Single Transistor, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3
DeviceMart:
IGBT N-CH 600V 9A TO-220FP
额定电压DC 600 V
额定电流 9.00 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
上升时间 6 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 22 ns
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


