STB36NM60N

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STB36NM60N概述

STB36NM60N 系列 600 V 105 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK-3

表面贴装型 N 通道 29A(Tc) 210W(Tc) D2PAK


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MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK


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STB36NM60N 系列 600 V 0.105 Ohm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK


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STB36NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 210 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 2722pF @100VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 67 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STB36NM60N
描述:STB36NM60N 系列 600 V 105 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK-3
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