STGD10NC60KDT4

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 600V 20A 62W DPAK

欧时:
### IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

贸泽:
IGBT Transistors N Ch 600V 10A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
STGD10NC60KD 系列 600 V 20 A 耐短路 PowerMesh IGBT - TO-252

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK

Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 20A 62000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
IGBT N-CH 20A 600V DPAK

Win Source:
IGBT 600V 20A 62W DPAK