










STMICROELECTRONICS STD155N3H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
贸泽:
MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD155N3H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 30 V 3 mOhm Surface Mount DeepGATE™ Power MOSFET - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD155N3H6 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
力源芯城:
30V,80A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 3650pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 车用, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD155N3H6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB155N3H6 意法半导体 | 完全替代 | STD155N3H6和STB155N3H6的区别 |