STH250N6F3-6参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

STH250N6F3-6图片1

STH250N6F3-6图片2

STH250N6F3-6图片3

STH250N6F3-6概述

Mosfet n-Ch 60V 250A H2pak

\- - - - -

得捷:
MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK

贸泽:
MOSFET N-channel 60V 180A STripFET III

STH250N6F3-6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.6 mΩ

耗散功率 300 W

漏源击穿电压 60 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STH250N6F3-6

型号： STH250N6F3-6

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：Mosfet n-Ch 60V 250A H2pak