STMICROELECTRONICS STGP10NC60KD 单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
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绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
欧时:
STMicroelectronics STGP10NC60KD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
10A 600V IGBT
得捷:
IGBT 600V 20A 65W TO220
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
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STGP10NC60K Series 600 V 10 A N-Channel Short Circuit Rugged IGBT - TO-220
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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IGBT Single Transistor, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3
儒卓力:
**IGBT 600V 10A 1,9V TO220-3 **
DeviceMart:
IGBT N-CH 600V 20A TO-220
Win Source:
IGBT 600V 20A 65W TO220
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
上升时间 6.00 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 22 ns
额定功率Max 65 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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