STGP10NC60KD

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STGP10NC60KD概述

STMICROELECTRONICS  STGP10NC60KD  单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
STMicroelectronics STGP10NC60KD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
10A 600V IGBT


得捷:
IGBT 600V 20A 65W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STGP10NC60K Series 600 V 10 A N-Channel Short Circuit Rugged IGBT - TO-220


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
IGBT Single Transistor, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3


儒卓力:
**IGBT 600V 10A 1,9V TO220-3 **


DeviceMart:
IGBT N-CH 600V 20A TO-220


Win Source:
IGBT 600V 20A 65W TO220


STGP10NC60KD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

上升时间 6.00 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 22 ns

额定功率Max 65 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGP10NC60KD引脚图与封装图
STGP10NC60KD引脚图
STGP10NC60KD封装图
STGP10NC60KD封装焊盘图
在线购买STGP10NC60KD
型号: STGP10NC60KD
描述:STMICROELECTRONICS  STGP10NC60KD  单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
替代型号STGP10NC60KD
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