















N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 800V 14A
得捷:
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STB15N80K5, 14 A, Vds=800 V, 3引脚
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STB15N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 190000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes supermesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N沟道 800 V 0.3 Ohm 190 W 表面贴装 SuperMESH™ K5 功率 Mosfet - D2PaK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 800V 14A 375mOhm TO263-3 **
DeviceMart:
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Win Source:
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 17.6 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB15N80K5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP15N80K5 意法半导体 | 完全替代 | STB15N80K5和STP15N80K5的区别 |