STGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK
You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from STMicroelectronics. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 80000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.
额定电压DC 600 V
额定电流 25.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 80000 mW
输入电容 760 pF
上升时间 8.50 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 62.5 ℃/W
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
宽度 9.35 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STGB14NC60KDT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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