

















STMICROELECTRONICS STD4NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道500V 3A
得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD4NK50Z 系列 N 沟道 500 V 2.7 Ohm SuperMESH™ 功率 MOSFET - TO-252-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD4NK50ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 500V 3A 300mOhm TO252-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
额定电压DC 500 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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