STD4NK50ZT4

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STD4NK50ZT4概述

STMICROELECTRONICS  STD4NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道500V 3A


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V


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Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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STD4NK50Z 系列 N 沟道 500 V 2.7 Ohm SuperMESH™ 功率 MOSFET - TO-252-3


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; DPAK


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Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD4NK50ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 500V 3A 300mOhm TO252-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK


STD4NK50ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 2.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD4NK50ZT4引脚图与封装图
STD4NK50ZT4引脚图
STD4NK50ZT4封装图
STD4NK50ZT4封装焊盘图
在线购买STD4NK50ZT4
型号: STD4NK50ZT4
描述:STMICROELECTRONICS  STD4NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
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