N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N-Channel 600V 2.1A Ta, 12A Tc 3W Ta, 110W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV
得捷:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL18NM60N, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 PowerFLAT封装
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 5-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin Power Flat T/R
富昌:
STL18NM 系列 N 沟道 650 V 12 A 310 mOhm MDmesh II 功率 Mosfet - PowerFLAT
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin Power Flat T/R
力源芯城:
600V,0.26Ω,6A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
通道数 1
漏源极电阻 0.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1000pF @50VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17