STL100N1VH5

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STL100N1VH5概述

STMICROELECTRONICS  STL100N1VH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 12V 0.0022 Ohm 25A STripFET V


e络盟:
# STMICROELECTRONICS  STL100N1VH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56


Win Source:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56


STL100N1VH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 5

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 500 mV

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

上升时间 31.6 ns

输入电容Ciss 2085pF @10VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 6.15 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STL100N1VH5
型号: STL100N1VH5
描述:STMICROELECTRONICS  STL100N1VH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV

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