













STMICROELECTRONICS STL100N1VH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 12V 0.0022 Ohm 25A STripFET V
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STL100N1VH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 100A 8-Pin Power Flat T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
Win Source:
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
通道数 1
针脚数 5
漏源极电阻 0.0022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
上升时间 31.6 ns
输入电容Ciss 2085pF @10VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5.2 mm
宽度 6.15 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99