STGP18N40LZ

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STGP18N40LZ概述

EAS 180毫焦耳 - 390 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

IGBT - 420 V 30 A 150 W 通孔 TO-220


得捷:
IGBT 420V 30A 150W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


DeviceMart:
IGBT 420V 30A 150W TO220


Win Source:
IGBT 420V 30A 150W TO220


STGP18N40LZ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 420 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGP18N40LZ
型号: STGP18N40LZ
描述:EAS 180毫焦耳 - 390 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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