STGD5NB120SZT4

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STGD5NB120SZT4概述

STMICROELECTRONICS  STGD5NB120SZT4  单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 1200V 10A 75W DPAK


欧时:
STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp


e络盟:
单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 5A; 75W; DPAK


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
IGBT Single Transistor, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pins


儒卓力:
**IGBT 1200V 5A 1,3V TO252 **


DeviceMart:
IGBT N-CHAN 10A 1200V DPAK


Win Source:
IGBT 1200V 10A 75W DPAK


STGD5NB120SZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 5.00 A

额定功率 75 W

针脚数 3

耗散功率 75 W

输入电容 430 pF

上升时间 170 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

热阻 100 ℃/W

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGD5NB120SZT4
型号: STGD5NB120SZT4
描述:STMICROELECTRONICS  STGD5NB120SZT4  单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
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