

















STMICROELECTRONICS STGD5NB120SZT4 单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
得捷:
IGBT 1200V 10A 75W DPAK
欧时:
STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp
e络盟:
单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 5A; 75W; DPAK
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
IGBT Single Transistor, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pins
儒卓力:
**IGBT 1200V 5A 1,3V TO252 **
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 10A 1200V DPAK
Win Source:
IGBT 1200V 10A 75W DPAK
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 5.00 A
额定功率 75 W
针脚数 3
耗散功率 75 W
输入电容 430 pF
上升时间 170 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
热阻 100 ℃/W
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, 照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STGD5NB120SZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STGD5NB120SZ-1 意法半导体 | 类似代替 | STGD5NB120SZT4和STGD5NB120SZ-1的区别 |
STGD5NB120SZ 意法半导体 | 功能相似 | STGD5NB120SZT4和STGD5NB120SZ的区别 |