STB6NM60N

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STB6NM60N概述

N-channel 600V, 0.85Ω, 4.6A MDmesh™2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D²PAK

N-Channel 600V 4.6A Tc 45W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
Low input capacitance and gate charge


STB6NM60N中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 420pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB6NM60N
型号: STB6NM60N
描述:N-channel 600V, 0.85Ω, 4.6A MDmesh™2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D²PAK

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