N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
贸泽:
MOSFET STripFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 56.0 A, 80.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 11.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB60N55F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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