STP80NF06

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STP80NF06概述

STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF06, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 60V 80A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
STP80NF06 系列 N 沟道 60 V 0.008 Ohm STripFET II™ 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 300W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP80NF06  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
N-CHANNEL 60V - 0.0065OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET


STP80NF06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 3850pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP80NF06引脚图与封装图
STP80NF06引脚图
STP80NF06封装图
STP80NF06封装焊盘图
在线购买STP80NF06
型号: STP80NF06
描述:STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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