STMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF06, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 60V 80A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STP80NF06 系列 N 沟道 60 V 0.008 Ohm STripFET II™ 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP80NF06 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
N-CHANNEL 60V - 0.0065OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET
额定电压DC 60.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 3850pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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