STH400N4F6-2

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STH400N4F6-2概述

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STH400N4F6-2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 300000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device is made with stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin H2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 40V 180A 1,15mOhm H2PAK-2 **


STH400N4F6-2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 180A

输入电容Ciss 20000pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 15.8 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STH400N4F6-2
型号: STH400N4F6-2
描述:N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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