STL12N65M5参数规格_中文资料_数据手册PDF

STL12N65M5概述

Power N-CH 650V 8.5A

表面贴装型 N 通道 8.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat™（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 4-Pin PowerFlat T/R

富昌:
N沟道 650 V 8.5 A 0.53 Ω 功率 Mosfet - PowerFLAT 5x6 HV

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 4-Pin Power Flat T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R

STL12N65M5中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 48 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 8.5A

上升时间 17.6 ns

输入电容Ciss 644pF @100VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 15.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL12N65M5

型号： STL12N65M5

描述：Power N-CH 650V 8.5A

替代型号STL12N65M5

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