N沟道600V - 0.40ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK FDmesh功率MOSFET，快速二极管？ N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
N-Channel 600V 11A Tc 160W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB11NM60FD系列 N沟道 600 V 0.45 Ohm FDMesh 功率MOSFET - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 11.0 A
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB11NM60FDT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB11NM60FD 意法半导体 | 功能相似 | STB11NM60FDT4和STB11NM60FD的区别 |