N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK50ZT4, 2.3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 500V 2.3A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STD3NK50ZT4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 500 V 3.3 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet - TO-252-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 500V 2A 3300mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
额定电压DC 500 V
额定电流 2.30 A
漏源极电阻 2.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
输入电容 280 pF
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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