STL7NM60N

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STL7NM60N概述

低输入电容和栅极电荷,低栅极输入电阻 Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance

N-Channel 600V 5.8A Tc 68W Tc Surface Mount 14-PowerFLAT™ 5x5


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 14-Pin Power Flat T/R


力源芯城:
600V,0.805Ω,5.8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT


STL7NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.8A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 363pF @50VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 PowerFLAT-14

外形尺寸

封装 PowerFLAT-14

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL7NM60N
型号: STL7NM60N
描述:低输入电容和栅极电荷,低栅极输入电阻 Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance

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