STD14NM50N

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STD14NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STD14NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK


欧时:
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
Single N-Channel 500 V 0.32 Ohm 27 nC 90 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.28Ω,8.5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK


STD14NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 816pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

STD14NM50N引脚图与封装图
STD14NM50N引脚图
STD14NM50N封装焊盘图
在线购买STD14NM50N
型号: STD14NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STD14NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD14NM50N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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