STE53NC50

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STE53NC50概述

STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STE53NC50, 53 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP


贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 53 Amp


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 53 A, 0.08 ohm, ISOTOP, 模块


艾睿:
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube


富昌:
STE53NC50 系列 N 沟道 500 V 0.08 Ω PowerMesh II MosFet - ISOTOP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube


TME:
Module; single transistor; Uds:500V; Id:33A; ISOTOP; 460W; screw


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube


儒卓力:
**N-CH 500V 53A 80mOhm ISOTOP **


STE53NC50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 53.0 A

额定功率 460 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 460 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 53.0 A

上升时间 70 ns

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 11200pF @25VVds

额定功率Max 460 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 ISOTOP-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.5 mm

高度 9.1 mm

封装 ISOTOP-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STE53NC50
型号: STE53NC50
描述:STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
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