STMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STE53NC50, 53 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装
得捷:
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 53 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 53 A, 0.08 ohm, ISOTOP, 模块
艾睿:
STE53NC50 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube - Arrow.com
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube
富昌:
STE53NC50 系列 N 沟道 500 V 0.08 Ω PowerMesh II MosFet - ISOTOP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube
TME:
Module; single transistor; Uds:500V; Id:33A; ISOTOP; 460W; screw
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP Tube
儒卓力:
**N-CH 500V 53A 80mOhm ISOTOP **
额定电压DC 500 V
额定电流 53.0 A
额定功率 460 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 53.0 A
上升时间 70 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 11200pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 ISOTOP-4
长度 38.2 mm
宽度 25.5 mm
高度 9.1 mm
封装 ISOTOP-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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