STL24N60M2

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STL24N60M2概述

600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET

表面贴装型 N 通道 18A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV


得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV


欧时:
ST STL24N60M2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
单 N沟道 650 V 0.21 Ω 125 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerFLAT 8x8 HV


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R


力源芯城:
600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET


STL24N60M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.21 Ω

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1060pF @100VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PowerFlat-4

外形尺寸

封装 PowerFlat-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL24N60M2
型号: STL24N60M2
描述:600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET
替代型号STL24N60M2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STL24N60M2

ST Microelectronics 意法半导体

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