600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET
表面贴装型 N 通道 18A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV
得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
欧时:
ST STL24N60M2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin PowerFLAT T/R
富昌:
单 N沟道 650 V 0.21 Ω 125 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerFLAT 8x8 HV
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
力源芯城:
600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET
漏源极电阻 0.21 Ω
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1060pF @100VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFlat-4
封装 PowerFlat-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STL24N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STL18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | STL24N60M2和STL18N55M5的区别 |